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IRLHS6376TRPBF

更新时间： 2024-09-29 11:10:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLHS6376TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.14外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A最大漏极电流 (ID)：3.6 A
最大漏源导通电阻：0.082 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：6.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLHS6376TRPBF 数据手册

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PD - 97607A  
IRLHS6376PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
VGS  
30  
12  
V
V
±
D1  
G2  
RDS(on) max  
(@VGS = 4.5V)  
63  
82  
m
Ω
Ω
S2  
D1  
D2  
RDS(on) max  
(@VGS = 2.5V)  
m
S1  
G1  
ID  
D2  
3.4  
A
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
2mm x 2mm Dual PQFN  
Applications  
• Charge and discharge switch for battery application  
• Load/System Switch  
FeaturesandBenefits  
Features  
Resulting Benefits  
Low RDSon (≤ 63mΩ)  
Low Thermal Resistance to PCB (≤ 19°C/W)  
Low Profile (≤ 1.0mm)  
Lower Conduction Losses  
Enable better thermal dissipation  
results in Increased Power Density  
Industry-Standard Pinout  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
⇒
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Orderable part number Package Type  
Standard Pack  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Note  
Quantity  
4000  
IRLHS6376TRPBF  
IRLHS6376TR2PBF  
PQFN Dual 2mm x 2mm  
PQFN Dual 2mm x 2mm  
400  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
V
±12  
3.6  
2.9  
7.6  
4.9  
3.4  
30  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
I
I
I
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
D
D
D
@ TA = 70°C  
@ TC(Bottom) = 25°C  
@ TC(Bottom) = 100°C  
@ TC(Bottom) = 25°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
1.5  
6.6  
D
D
W
Power Dissipation  
@TC(Bottom) = 25°C  
0.012  
-55 to + 150  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/°C  
°C  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Notes  through † are on page 2  
www.irf.com  
1
07/19/11  
1234567...9

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