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IRLHS6342TRPBF

更新时间： 2024-11-16 12:20:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRLHS6342TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.13	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	14 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	8.7 A
最大漏源导通电阻：	0.0195 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLHS6342TRPBF 数据手册

PD - 96339A

IRLHS6342PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_GS

TOP VIE

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

15.5

Ω

Q_{g (typical)}

I_D

(@T_{C (Bottom)}= 25°C)

2mm x 2mm PQFN

Applications

• Charge and discharge switch for battery application

• System/Load Switch

FeaturesandBenefits

Features

Low R_DSon(≤ 15.5mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (≤ 13°C/W)

Resulting Benefits

Lower Conduction Losses

Enable better thermal dissipation

Low Profile (≤ 1.0 mm)

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

results in Increased Power Density

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TR2PBF

PQFN 2mm x 2mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±12

8.7

6.9

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wirebond Limited)

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

2.1

1.3

Power Dissipation

0.02

-55 to + 150

Linear Derating Factor

Operating Junction and

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Notes through are on page 2

www.irf.com

02/25/11

12 3 4 5 6 7...9

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IRLHS6342TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLHS6342TR2PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
FDMA430NZ	FAIRCHILD	功能相似	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢

与IRLHS6342TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLHS6376	INFINEON	获取价格	Small PowIR MOSFETs
IRLHS6376PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLHS6376TR2PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLHS6376TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLI1530A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI2203	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=5
IRLI2203G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=5
IRLI2203G-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLI2203G-003	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLI2203G-003PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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