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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.14 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.062 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 6.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLHS6276TR2PBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLHS6342 | INFINEON |
获取价格 |
Small PowIR MOSFETs |
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| IRLHS6342PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLHS6342TR2PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLHS6342TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLHS6376 | INFINEON |
获取价格 |
Small PowIR MOSFETs |
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| IRLHS6376PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLHS6376TR2PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLHS6376TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLI1530A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLI2203 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.010ohm, Id=5 |
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