5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRL2703-018PBF
IRL2703-018PBF PDF预览

IRL2703-018PBF

更新时间： 2024-02-09 04:52:16
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 113K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

阅读下载

获取价格

IRL2703-018PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL2703-018PBF 数据手册

 浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRL2703-018PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 9.1359A  
IRL2703  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 30V  
RDS(on) = 0.04Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 24A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowestpossibleon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levelstoapproximately50watts. Thelowthermalresistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
24  
17  
A
96  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
45  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.30  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
±16  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current  
77  
mJ  
A
14  
4.5  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
––––  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
0.50  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
3.3  
––––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
––––  
8/27/97  
1234567...9

下载PDF

与IRL2703-018PBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRL2703-019PBF INFINEON 暂无描述

获取价格
IRL2703-029PBF INFINEON 暂无描述

获取价格
IRL2703-030PBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格
IRL2703-031PBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格
IRL2703PBF INFINEON HEXFET Power MOSFET

获取价格
IRL2703S FREESCALE 1.5 A Switch-Mode Power Supply with Linear Regulator

获取价格

与IRL2703-018PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证