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IRL2703-018PBF

更新时间： 2024-01-25 11:09:32

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	113K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRL2703-018PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRL2703-018PBF 数据手册

IRL2703

1000

= 0V,

f = 1M Hz

iss

= 14A

= C

+ C

SHORTE D

d s

= 24V

= 15V

rss

oss

800

iss

600

400

200

o ss

rs s

FOR TEST CIRCUIT

SEE FIGURE 13

100

V_{D S}, Drain-to-Source Voltage (V)

Q _G, Total Gate Charge (nC)

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

1 0 0

1000

100

OPE RATION IN THIS A RE A LIMITE D

BY R

D S(o n)

= 175°C

10µs

= 25°C

1 0

10 0µs

1 ms

= 25°C

= 175°C

1 0m s

= 0V

S ingle Pulse

G S

0. 4

0. 8

1. 2

1. 6

2. 0

2. 4

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

V_SD, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Forward Voltage

1 2 345 6 7...9

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