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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNA58064
IRHNA58064 PDF预览

IRHNA58064

更新时间： 2024-11-05 22:33:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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IRHNA58064 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0056 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA58064 数据手册

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ꢁ
PD - 91852G  
IRHNA57064  
JANSR2N7468U2  
60V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
REF: MIL5-PRF-19500/673  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHNA57064 100K Rads (Si) 0.0056Ω 75*A JANSR2N7468U2  
IRHNA53064 300K Rads (Si) 0.0056Ω 75*A JANSF2N7468U2  
IRHNA54064 600K Rads (Si) 0.0056Ω 75*A JANSG2N7468U2  
IRHNA58064 1000K Rads (Si) 0.0065Ω 75*A JANSH2N7468U2  
SMD-2  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
of low R  
and low gate charge reduces the power  
DS(on)  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
75*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
75*  
300  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.4  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/09/04  
12345678

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与IRHNA58064相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNA58064PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNA58160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA58160PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHNA58260 INFINEON

获取价格

 		200V, N-CHANNEL
IRHNA58Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHNA58Z60PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHNA593064 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA593064SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHNA593160 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA593160D INFINEON

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 		Rad hard, -100V, -47A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(S

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