5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNA593260
IRHNA593260 PDF预览

IRHNA593260

更新时间： 2024-11-04 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHNA593260 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：303 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33.5 A最大漏极电流 (ID)：33.5 A
最大漏源导通电阻：0.102 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：134 A
认证状态：Not Qualified参考标准：RH - 300K Rad(Si)
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：220 ns最大开启时间（吨）：135 ns
Base Number Matches：1

IRHNA593260 数据手册

 浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNA593260的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94168A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHNA597260  
200V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNA597260 100K Rads (Si) 0.102Ω -35.5A  
IRHNA593260 300K Rads (Si) 0.102Ω -35.5A  
SMD-2  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-35.5  
D
GS  
C
A
I
D
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-22.5  
-142  
300  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
320  
mJ  
A
AS  
I
-35.5  
30  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
10  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 ( for 5s )  
3.3 ( Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/07/01  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHNA593260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNA593260PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHNA593260SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHNA593Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA597064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA597064D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHNA597064SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -56A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si
IRHNA597064SCSD INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHNA597160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHNA597160D INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -47A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S
IRHNA597260 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

与IRHNA593260相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证