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IRHNA58160

更新时间： 2024-09-15 21:54:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
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8页 181K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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IRHNA58160 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
其他特性：HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：363 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA58160 数据手册

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PD - 91860H  
IRHNA57160  
JANSR2N7469U2  
100V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
REF: MIL-PRF-19500/673  
TECHNOLOGY  
5
ꢀꢁ  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHNA57160 100K Rads (Si) 0.012Ω  
75*A JANSR2N7469U2  
IRHNA53160 300K Rads (Si) 0.012Ω 75*A JANSF2N7469U2  
IRHNA54160 600K Rads (Si) 0.012Ω 75*A JANSG2N7469U2  
IRHNA58160 1000K Rads (Si) 0.013Ω  
75*A JANSH2N7469U2  
SMD-2  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
75*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
69  
300  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
363  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/09/04  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		200V, N-CHANNEL
IRHNA58Z60 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHNA58Z60PBF INFINEON

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 		暂无描述
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