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IRHE7230SCSPBF PDF预览

IRHE7230SCSPBF

更新时间： 2024-01-20 18:08:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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IRHE7230SCSPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15元件数量：1
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHE7230SCSPBF 数据手册

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PD - 90713E  
IRHE7230  
JANSR2N7262U  
200V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
REF: MIL-PRF-19500/601  
RAD-Hard™ HEXFET® MOSFET  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHE7230  
IRHE3230  
IRHE4230  
IRHE8230  
100K Rads (Si)  
0.35Ω  
5.5A JANSR2N7262U  
5.5A JANSF2N7262U  
5.5A JANSG2N7262U  
5.5A JANSH2N7262U  
300K Rads (Si) 0.35Ω  
600K Rads (Si) 0.35Ω  
1000K Rads (Si) 0.35Ω  
LCC - 18  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
5.5  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
3.5  
22  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
240  
—
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 ( for 5s)  
0.42 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/01/01  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHE8110 INFINEON

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 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
IRHE8110PBF INFINEON

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 		暂无描述
IRHE8130 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18)
IRHE8230 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRHE8230PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHE9110 INFINEON

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 		POWER MOSFET 100V - P CHANNEL SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRHE9110SCS INFINEON

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 		Rad hard, -100V, -2.3A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC
IRHE9130 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)
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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRHE9130SCSPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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