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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHF3110 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| IRHF3110PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF3130 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHF3130PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRHF3230 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF4110 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| IRHF4110PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF4110SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHF4130 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHF4130PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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