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IRHF230

更新时间： 2024-02-17 12:22:07

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	79K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF

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IRHF230 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRHF230 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHF3110	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE	获取价格
IRHF3110PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRHF3130	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF3130PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHF3230	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRHF4110	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE	获取价格

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