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IRHE9110SCS

更新时间： 2024-09-25 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 1248K
描述
Rad hard, -100V, -2.3A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC, 100 krad(Si) TID, QIRL

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IRHE9110SCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
雪崩能效等级（Eas）：75 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CDSO-F18元件数量：1
端子数量：18工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.2 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRHE9110SCS 数据手册

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PD-97180A  
IRHE9110  
100V, P-CHANNEL  
RAD Hard™HEXFET ® TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHE9110  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-2.3A  
-2.3A  
1.1  
1.1  
IRHE93110  
LCC-18  
Description  
Features  
IR HiRel RADHard™ HEXFET® technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications. This  
technology has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event Effects  
(SEE). The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications such as  
DC to DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such as  
voltage control, fast switching and temperature stability of  
electrical parameters.  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-2.3  
A
-1.5  
-9.2  
15  
IDM @ TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current   
Maximum Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.1  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
±20  
75  
mJ  
A
-2.3  
1.5  
EAR  
dv/dt  
TJ  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
-12.5  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
°C  
g
300 (for 5s)  
0.42 (Typical)  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2020-12-04  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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