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IRHF3130PBF PDF预览

IRHF3130PBF

更新时间： 2024-01-05 17:15:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 300K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHF3130PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHF3130PBF 数据手册

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PD - 90653F  
IRHF7130  
JANSR2N7261  
100V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
REF: MIL-PRF-19500/601  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF7130  
IRHF3130  
IRHF4130  
IRHF8130  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
500K Rads (Si)  
1000K Rads (Si)  
0.18Ω 8.0A JANSR2N7261  
0.18Ω 8.0A JANSF2N7261  
0.18Ω 8.0A JANSG2N7261  
0.18Ω 8.0A JANSH2N7261  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technology  
provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a  
decade of proven performance and reliability in  
satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event  
Effects (SEE). The combination of low Rdson and  
low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
TO-39  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
8.0  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
5.0  
32  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/°C  
V
D
C
0.20  
±20  
130  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
AR  
8.0  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
2.5  
5.5  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
300 (0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/28/06  
1234567...12

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