5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC30U-STRL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3 |
|
| IRG4BC30U-STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, |
|
| IRG4BC30U-STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, |
|
| IRG4BC30W | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRG4BC30W_04 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRG4BC30WPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRG4BC30WS | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRG4BC30W-S | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) |
|
| IRG4BC30W-SPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4BC30W-STRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
