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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AB |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY230CMSCXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconduc |
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| IRFY230SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | CHIP |
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| IRFY240 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY240(M)PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFY240_11 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFY240C | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA |
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| IRFY240C | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package. |
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| IRFY240CM | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=16A) |
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| IRFY240CMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY240CMSCX | INFINEON |
获取价格 |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX |
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