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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFY240MECPBF
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IRFY240MECPBF

更新时间： 2024-01-16 18:22:25
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 215K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB

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IRFY240MECPBF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-MSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFY240MECPBF 数据手册

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PD-91289E  
IRFY240C,IRFY240CM  
200V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
Ceramic  
Ceramic  
IRFY240C  
0.18 Ω  
0.18 Ω  
16A  
16A  
IRFY240CM  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry design achieves very low on-state  
resistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advantages  
of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,  
ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as  
switching power supplies, motor controls, inverters,  
choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and  
virtually any application where high reliability is required.  
The HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates  
the need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Ideally Suited For Space Level  
Applications  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
16  
10.2  
64  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
100  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.8  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
580  
mJ  
A
AS  
I
16  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
10  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
°C  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/06/08  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY240MEDPBF INFINEON

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 		暂无描述
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