IRFY340CM

更新时间： 2024-04-02 21:14:48

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=8.7A)

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IRFY340CM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	6.9 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AB
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFY340CM 数据手册

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Index

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Provisional Data Sheet No. PD 9.1290B

HEXFET^®POWER MOSFET

IRFY340CM

N-CHANNEL

400 Volt, 0.55Ω HEXFET

Product Summary

HEXFET technology is the key to International Rectifier’s

advanced line of power MOSFET transistors. The effi-

cient geometry design achieves very low on-state re-

sistance combined with high transconductance.

Part Number

DSS

DS(on)

IRFY340CM

400V

0.55Ω

8.7A

HEXFET transistors also feature all of the well-estab-

lished advantages of MOSFETs, such as voltage con-

trol, very fast switching, ease of paralleling and electri-

cal parameter temperature stability. They are well-suited

for applications such as switching power supplies, mo-

tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high

energy pulse circuits, and virtually any application where

high reliability is required.

Features

n Hermetically Sealed

n Electrically Isolated

n Simple Drive Requirements

n Ease of Paralleling

n Ceramic Eyelets

The HEXFET transistor’s totally isolated package elimi-

nates the need for additional isolating material between

the device and the heatsink. This improves thermal effi-

ciency and reduces drain capacitance.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

IRFY340CM

Units

@ V =10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

8.7

5.5

@ V =10V, T = 100°C

@ T = 25°C

100

0.8

±20

W/Kꢀ

Single PulseAvalance Energy

Avalance Current

520

8.7

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction

dv/dt

4.0

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

LeadTemperature

°C

stg

300 (0.063 in (1.6mm) from

case for 10 sec)

°C

Weight

4.3 (typical)

To Order

12 3 4 5 6

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IRFY340CM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFY340	SEME-LAB	类似代替	N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS
IRFY340	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

与IRFY340CM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFY340CMSCV	INFINEON	获取价格	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRFY340CSCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY340CSCX	INFINEON	获取价格	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX
IRFY340M	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY340MEAPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFY340MEBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY340SCX	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRFY340SCXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFY420	SEME-LAB	获取价格	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package.
IRFY420C	SEME-LAB	获取价格	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed

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