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IRFY340

更新时间： 2024-01-29 12:32:14
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 148K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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IRFY340 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：6.9 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AB
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFY340 数据手册

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PD - 94189  
IRFY340,IRFY340M  
400V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
Glass  
IRFY340  
0.55 Ω  
0.55 Ω  
8.7A  
8.7A  
IRFY340M  
Glass  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Glass Eyelets  
For Space Level Applications  
Refer to Ceramic Version Part  
Numbers IRFY340C, IRFY340CM  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
8.7  
5.5  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
D
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
35  
DM  
@ T = 25°C  
P
100  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.8  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
520  
mJ  
A
AS  
I
8.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
10  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
3.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/18/01  
1234567

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