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IRFY430CM

更新时间： 2024-09-24 22:10:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rd(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

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IRFY430CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFY430CM 数据手册

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Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD 9.1291B  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFY430CM  
N-CHANNEL  
500 Volt, 1.5Ω HEXFET  
Product Summary  
HEXFET technology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors. The effi-  
cient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance.  
Part Number  
BV  
R
I
D
DSS  
DS(on)  
IRFY430CM  
500V  
1.5Ω  
4.5A  
HEXFET transistors also feature all of the well-estab-  
lished advantages of MOSFETs, such as voltage con-  
trol, very fast switching, ease of paralleling and electri-  
cal parameter temperature stability. They are well-suited  
for applications such as switching power supplies, mo-  
tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high  
energy pulse circuits, and virtually any application where  
high reliability is required.  
Features  
n Hermetically Sealed  
n Electrically Isolated  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Ceramic Eyelets  
The HEXFET transistor’s totally isolated package elimi-  
nates the need for additional isolating material between  
the device and the heatsink. This improves thermal effi-  
ciency and reduces drain capacitance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFY430CM  
Units  
I
@ V  
=10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
4.5  
2.8  
D
GS  
C
I
D
@ V =10V, T = 100°C  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalance Energy ‚  
Avalance Current   
A
GS  
C
I
18  
DM  
P
@ T = 25°C  
75  
W
W/Kꢀ  
V
D
C
0.6  
V
±20  
GS  
E
280  
mJ  
AS  
I
4.5  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
T
-55 to 150  
J
Storage Temperature Range  
LeadTemperature  
°C  
stg  
300 (0.063 in (1.6mm) from  
case for 10 sec)  
°C  
g
Weight  
4.3 (typical)  
To Order  
 
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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