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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.59 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AB |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFY340CM | INFINEON |
类似代替  |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=8.7A) |
|
| IRFY340 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY340_08 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATION |
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| IRFY340C | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRFY340CM | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=8.7A) |
|
| IRFY340CMSCV | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
|
| IRFY340CSCV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY340CSCX | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX |
|
| IRFY340M | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
|
| IRFY340MEAPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFY340MEBPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFY340SCX | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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