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IRFY240MEPBF

更新时间： 2024-09-24 13:08:47
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描述
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IRFY240MEPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AB
JESD-30 代码：S-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFY240MEPBF 数据手册

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PD-91289E  
IRFY240C,IRFY240CM  
200V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number RDS(on)  
ID  
Eyelets  
Ceramic  
Ceramic  
IRFY240C  
0.18 Ω  
0.18 Ω  
16A  
16A  
IRFY240CM  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry design achieves very low on-state  
resistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advantages  
of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,  
ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as  
switching power supplies, motor controls, inverters,  
choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and  
virtually any application where high reliability is required.  
The HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates  
the need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Ideally Suited For Space Level  
Applications  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
16  
10.2  
64  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
100  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.8  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
580  
mJ  
A
AS  
I
16  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
10  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
°C  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/06/08  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFY240SCVPBF INFINEON

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