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| IRFY310 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY310C | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY320 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY320C | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY320SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | CHIP |
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| IRFY330 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package |
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| IRFY330C | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY330SM | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP |
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| IRFY340 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
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| IRFY340 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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