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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AB | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFY240CSCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY240M | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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| IRFY240MEA | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFY240MEAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY240MEBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY240MECPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY240MEDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY240MEPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFY240SCVPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFY310 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |
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