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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU9221 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9222 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9222 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU9310 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
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| IRFU9310 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU9310 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU9310PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFU9310PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9310PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU9N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A) |
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