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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9210-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRFR9210TR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TR | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFR9210TRA | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TRL | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TRLA | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9210TRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFR9210TRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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