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IRFR9212-T1

更新时间: 2024-11-07 04:27:55
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三星 - SAMSUNG /
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5页 166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR9212-T1 数据手册

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