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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9212-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9212TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9214 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9214 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A) |
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| IRFR9214 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9214PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -250V , RDS(on) |
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| IRFR9214PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9214PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9214TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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