IRFR3711

更新时间： 2024-11-23 22:40:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	239K
描述
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)

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IRFR3711 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	440 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR3711 数据手册

PD- 94061

IRFR3711

IRFU3711

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

V_DSS

20V

R_DS(on)max

I_D

110A

6.5mΩ

l High Frequency Buck Converters for

Server Processor Power Synchronous FET

l Optimized for Synchronous Buck

Converters Including Capacitive Induced

Turn-on Immunity

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

D-Pak

IRFR3711

I-Pak

IRFU3711

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

110

440

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipationꢀ

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.5

120

0.96

mW/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

1.04

Units

R_θJC

R_θJA

–––

Junction-to-Ambient (PCB mount)ꢀ

Junction-to-Ambient

°C/W

110

Notes through are on page 10

www.irf.com

2/7/01

12 3 4 5 6 7...10

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IRFR3711 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR3711TRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711TRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFR3711相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR3711PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3711TR	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-252AA
IRFR3711TRL	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-252AA
IRFR3711TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711TRR	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-252AA
IRFR3711TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711Z	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR3711Z	KERSEMI	获取价格	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power
IRFR3711ZCPBF	KERSEMI	获取价格	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power

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