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IRFR3711ZCTRRPBF

更新时间： 2024-09-15 20:58:35

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描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRFR3711ZCTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.38	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	93 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRFR3711ZCTRRPBF 数据手册

PD - 96050

IRFR3711ZCPbF

IRFU3711ZCPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

l Lead-Free

V_DSSR_DS(on)max

18nC

5.7m

20V

Benefits

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

I-Pak

IRFR3711ZCPbF IRFU3711ZCPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

370

Maximum Power Dissipation

@T_C= 25°C

@T_C= 100°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.53

W/°C

°C

-55 to + 175

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.9

Units

R_θ

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

Notes through ꢀ are on page 11

www.irf.com

02/23/06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFR3711ZTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3711ZTRL	INFINEON	获取价格	High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power
IRFR3711ZTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR3711ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IRFR3806	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
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