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IRFR3910TR

更新时间： 2024-05-23 22:22:22

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
7页	748K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:16A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:115mΩ@10V

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IRFR3910TR 数据手册

UMW

IRFR3910

Description

The D-PAK is designed for surface mounting

using vapor phase,infrared,or wave soldering tec-

hniques.Power dissipation levels up to 1.5 watts

are possible in typical surface mount applications.

Features

V_DS(V) = 100V

I_D= 16A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)=115mΩ (V_GS= 10V)

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR3910TRHR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR3910TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3910TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR3910TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3910TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3911	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR3911PBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR3911TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR3911TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR410	INTERSIL	获取价格	1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs