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IRFR210B

更新时间： 2024-11-06 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 656K
描述
200V N-Channel MOSFET

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IRFR210B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：26 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFR210B 数据手册

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November 2001  
IRFR210B / IRFU210B  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply and motor control.  
•
•
•
•
•
•
2.7A, 200V, R  
= 1.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 7.2 nC)  
Low Crss ( typical 6.8 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
I-PAK  
IRFU Series  
D-PAK  
IRFR Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFR210B / IRFU210B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
2.7  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
10  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
40  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
26  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.2  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.9  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
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