Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR1N60ATRR

IRFR1N60ATRR

更新时间： 2024-11-07 12:59:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

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IRFR1N60ATRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.11	雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR1N60ATRR 数据手册

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

7.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

2.7

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

8.1

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Low Power Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRLPbF^a

SiHFR1N60ATL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRPbF^a

SiHFR1N60AT-E3^a

IRFR1N60ATR^a

SiHFR1N60AT^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRRPbF^aIRFU1N60APbF

SiHFR1N60ATR-E3^a

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

SnPb

SiHFR1N60A

SiHFU1N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.89

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.28

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 95 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 180 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91267

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFR1N60ATRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFR210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-252AA
IRFR210B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFR210BTF_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR210BTM_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR210P727I	INFINEON	获取价格

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