IRFR1N60A

更新时间： 2024-09-17 05:39:31

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Power MOSFET

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IRFR1N60A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR1N60A 数据手册

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

7.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

2.7

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

8.1

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Low Power Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRLPbF^a

SiHFR1N60ATL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRPbF^a

SiHFR1N60AT-E3^a

IRFR1N60ATR^a

SiHFR1N60AT^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRRPbF^aIRFU1N60APbF

SiHFR1N60ATR-E3^a

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

SnPb

SiHFR1N60A

SiHFU1N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.89

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.28

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 95 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 180 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91267

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR1N60ATR	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRFR1N60ATRPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRFR1N60APBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR1N60ATR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60ATRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR1N60ATRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60ATRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60ATRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR1N60ATRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)

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