5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP350-205PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFP350A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFP350FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP350LC | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) |
|
| IRFP350LC | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350LCPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP350PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFP350R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP351 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
