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IRFIB7N50A

更新时间： 2024-11-06 20:33:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRFIB7N50A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.15	雪崩能效等级（Eas）：	275 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.6 A
最大漏极电流 (ID)：	6.6 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFIB7N50A 数据手册

IRFIB7N50A, SiHFIB7N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.52

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

_gs(nC)

_gd(nC)

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossSpecified

Configuration

Single

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

TO-220 FULLPAK

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s, f = 60 Hz)

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half and Full Bridge Convertors

• Power Factor Correction Boost

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIB7N50APbF

SiHFIB7N50A-E3

IRFIB7N50A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFIB7N50A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

500

Gate-Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current^f

T_C= 25 °C

T_C=100°C

6.6

V_GSat 10 V

I_D

Continuous Drain Current

4.2

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

0.48

275

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^{a, e}

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

E_AS

I_AR

E_AR

6.0

T_C= 25 °C

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

6.9

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 11 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFB11N50A, SiHFB11N50A data and test conditions.

f. Drain current limited by maximum junction temperature.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91176

S09-0517-Rev. B, 13-Apr-09

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFIB7N50APBF	VISHAY	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFIB7N50A-107	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFIB7N50APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFIB7N50APBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFIB7N50L	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFIB7N50L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIB7N50LPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET
IRFIB7N50LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIB8N50K	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFIB8N50KPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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