Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFH5110TRPBF

IRFH5110TRPBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRFH5110TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.17	雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	63 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.0124 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	252 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFH5110TRPBF 数据手册

PD-96294

IRFH5110PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

100

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

12.4

Ω

R_{G (typical)}

1.5

Ω

I_D

PQFN 5X6 mm

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Secondary Side Synchronous Rectification

• Inverters for DC Motors

• DC-DC Brick Applications

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low RDSon (< 12.4 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (< 1.1°C/W)

100% Rg tested

Lower Conduction Losses

Increased Power Density

Increased Reliability

Low Profile (<0.9 mm)

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

⇒

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFH5110TRPBF

IRFH5110TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Max.

100

± 20

Units

V_DS

V_GS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

9.0

252

3.6

114

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@ T_C(Bottom)= 25°C

W/°C

°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.029

-55 to + 150

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

T_STG

Notes through ꢀ are on page 8

www.irf.com

03/18/10

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFH5206PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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