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IRFH5215TRPBF PDF预览

IRFH5215TRPBF

更新时间： 2024-09-15 19:57:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8

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IRFH5215TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.14雪崩能效等级（Eas）：96 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFH5215TRPBF 数据手册

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IRFH5215PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
150  
58  
V
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
Qg (typical)  
m
Ω
21  
nC  
RG (typical)  
2.3  
Ω
ID  
PQFN 5X6 mm  
27  
A
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
Applications  
• Primary Side Synchronous Rectification  
• Inverters for DC Motors  
• DC-DC Brick Applications  
• BoostConverters  
Features and Benefits  
Features  
Benefits  
Low RDSon (< 58 mΩ)  
Low Thermal Resistance to PCB (<1.2°C/W)  
100% Rg tested  
Lower Conduction Losses  
Increased Power Density  
Increased Reliability  
Low Profile (<0.9 mm)  
results in Increased Power Density  
⇒
Industry-Standard Pinout  
Multi-Vendor Compatibility  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Industrial Qualification  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Note  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Quantity  
4000  
IRFH5215TRPBF  
IRFH5215TR2PBF  
PQFN 5mm x 6mm  
PQFN 5mm x 6mm  
400  
EOL notice #259  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Max.  
150  
± 20  
5.0  
Units  
VDS  
V
VGS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
4.0  
27  
A
17  
108  
3.6  
Power Dissipation  
PD @TA = 25°C  
PD @ TC(Bottom) = 25°C  
W
Power Dissipation  
104  
Linear Derating Factor  
0.029  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Notes  through ꢀ are on page 8  
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
1
Submit Datasheet Feedback  
January 13, 2014  
12345678

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