IRFH5007TRPBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

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HEXFET Power MOSFET

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IRFH5007TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.11
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.0059 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFH5007TRPBF 数据手册

PD-95958

IRFH5007PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

5.9

Ω

R_{G (typical)}

1.2

Ω

I_D

100

PQFN 5X6 mm

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Secondary Side Synchronous Rectification

• Inverters for DC Motors

• DC-DC Brick Applications

• Boost Converters

Features and Benefits

Benefits

Features

Low R_DSon(≤ 5.9mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.5°C/W)

100% Rg tested

Lower Conduction Losses

Enables Better Thermal Dissipation

Increased Reliability

Low Profile (≤ 0.9 mm)

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

⇒

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

1000

IRFH5007TRPBF

IRFH5007TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

V_GS

±20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

100

400

3.6

250

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@ T_C(Bottom)= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.029

-55 to + 150

W/°C

°C

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

T_STG

Notes through are on page 8

www.irf.com

03/12/10

12 3 4 5 6 7 8

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IRFH5007TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFH5007TR2PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
BSC057N08NS3GATMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI7174DP-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 75-V (D-S) MOSFET

与IRFH5007TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFH5010PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5010PBF_15	INFINEON	获取价格	Secondary Side Synchronous Rectification
IRFH5010TR2PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5010TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5015	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFH5015PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5015TR2PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5015TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5020	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFH5020PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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