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IRFH5015TRPBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	215K
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HEXFET Power MOSFET

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IRFH5015TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, PLASTIC, QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.11	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFH5015TRPBF 数据手册

PD - 97446

IRFH5015PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

150

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

Ω

R_{G (typical)}

1.7

Ω

I_D

PQFN 5X6 mm

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Primary Side Synchronous Rectification

• Inverters for DC Motors

• DC-DC Brick Applications

• BoostConverters

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low RDSon (< 31 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.5°C/W)

Lower Conduction Losses

Increased Power Density

100% Rg tested

Increased Reliability

Low Profile (<0.9 mm)

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

Multi-Vendor Compatibility

⇒

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFH5015TRPBF

IRFH5015TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

Tape and Reel

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Max.

150

± 20

Units

V_DS

V_GS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

8.2

220

3.6

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@ T_C(Bottom)= 25°C

W/°C

°C

Power Dissipation

250

Linear Derating Factor

0.029

-55 to + 150

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

T_STG

Notes through ꢀ are on page 8

www.irf.com

01/22/2010

12 3 4 5 6 7 8

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IRFH5015TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFH5215TRPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDMS2572	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel UltraFET Trench MOSFET

与IRFH5015TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFH5020	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFH5020PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5020TR2PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5020TRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFH5025PBF	INFINEON	获取价格	Secondary Side Synchronous Rectification
IRFH5025TRPBF	INFINEON	获取价格	Secondary Side Synchronous Rectification
IRFH5053	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil
IRFH5053PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFH5053TRPBF	INFINEON	获取价格	3 Phase Boost Converter Applications
IRFH5104PBF	INFINEON	获取价格	Secondary Side Synchronous Rectification

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