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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF431R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.75A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF432 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF432R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF433 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF433R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF6798 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF6798PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9010 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9012 | INFINEON |
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Transistor, |
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| IRFF9020 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.1A I(D) | TO-205AF |
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