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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF9032 | INFINEON |
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Transistor, |
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| IRFF9110 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9110 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9110 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9111 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9111 | ROCHESTER |
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2.6A, 80V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9111 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.6A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9112 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9113 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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