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IRFF9120 PDF预览

IRFF9120

更新时间： 2024-09-26 20:24:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
4A, 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

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IRFF9120 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：P-CHANNEL功耗环境最大值：20 W
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：200 ns最大开启时间（吨）：150 ns
Base Number Matches：1

IRFF9120 数据手册

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IRFF9120  
Data Sheet  
June 1999  
File Number 2287.2  
4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power  
MOSFET  
Features  
• 4A, 100V  
This P-Channel enhancement mode silicon gate power  
field effect transistor is designed for applications such as  
switching regulators, switching converters, motor drivers,  
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching  
transistors requiring high speed and low gate drive power.  
These types can be operated directly from integrated  
circuits.  
• r  
= 0.60Ω  
DS(ON)  
• Single Pulse Avalanche Energy Rated  
• SOA is Power-Dissipation Limited  
• Nanosecond Switching Speeds  
• Linear Transfer Characteristics  
• High Input Impedance  
Formerly developmental type TA17501.  
Symbol  
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
IRFF9120  
D
IRFF9120  
TO-205AF  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
G
S
Packaging  
JEDEC TO-205AF  
SOURCE  
DRAIN  
(CASE)  
GATE  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
4-94  
1234567

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与IRFF9120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFF9121 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF
IRFF9122 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF9123 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFF9130 INTERSIL

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IRFF9130 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFF9130 TEMIC

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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