是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.13 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFF9111 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRFF9111 | ROCHESTER |
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2.6A, 80V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
IRFF9111 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 80V 2.6A 3-Pin TO-39 | |
IRFF9112 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin TO-39 | |
IRFF9113 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRFF9113 | ROCHESTER |
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2.3A, 80V, 1.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
IRFF9113 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 80V 2.3A 3-Pin TO-39 | |
IRFF9120 | INTERSIL |
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4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET | |
IRFF9120 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39 | |
IRFF9120 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |