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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-39, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFF9121 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9122 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9123 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9130 | INTERSIL | -6.5A, -100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFF9130 | SEME-LAB | P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9130 | INFINEON | POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
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