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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-39, 3 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 87 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9111 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9111 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.6A, 80V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9111 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.6A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9112 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9113 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF9113 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.3A, 80V, 1.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9113 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.3A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9120 | INTERSIL |
获取价格 |
4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFF9120 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9120 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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