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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF6798 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF6798PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF9010 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9012 | INFINEON |
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Transistor, |
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| IRFF9020 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.1A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9022 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF9024 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFF9024 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF9032 | INFINEON |
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Transistor, |
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