5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.39 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF6798PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9010 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF9012 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRFF9020 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.1A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF9022 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF9024 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
|
| IRFF9024 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
|
| IRFF9030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF9032 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRFF9110 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
