IRFD224PBF

更新时间： 2024-01-27 21:47:26

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	1118K
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Power MOSFET

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IRFD224PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.63 A	最大漏极电流 (ID)：	0.63 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFD224PBF 数据手册

IRFD224, SiHFD224

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.1

RoHS

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

2.7

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

7.8

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free

Configuration

Single

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serveres as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD224PbF

SiHFD224-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

0.63

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.40

Pulsed Drain Current^a

I_DM

5.0

Linear Derating Factor

0.0083

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

0.63

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

E_AR

0.10

_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 15 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.4 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

Document Number: 91132

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD2Z0	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD310	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD310	ROCHESTER	获取价格	400mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD310	INTERSIL	获取价格	0.4A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFD310	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A)
IRFD310PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD310PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET

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