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IRFD311R

更新时间: 2024-02-26 16:25:31
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其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR

IRFD311R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IRFD311R 数据手册

  
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