是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.4 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFD312 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD312R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD313 | ROCHESTER |
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300mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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IRFD313R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD320 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFD320 | INTERSIL |
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0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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IRFD320 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A) |
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IRFD320PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFD320PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=1.8 |
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IRFD320R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
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