IRFD9020

更新时间： 2024-09-29 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFD9020 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFD9020 数据手册

IRFD9020, SiHFD9020

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Dynamic dv/dt Rating

- 60

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= - 10 V

0.28

RoHS*

• For Automatic Insertion

• End Stackable

5.4

COMPLIANT

• P-Channel

_gd(nC)

• 175 °C Opertaing Temperature

• Fast Switching

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

HEXDIP

Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 W.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD9020PbF

SiHFD9020-E3

IRFD9020

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD9020

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 1.6

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 1.1

- 13

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 1.6

E_AR

0.13

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

1.3

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 15 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 3.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 11 A, dI/dt ≤ - 140 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90170

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFD9020PBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD9020PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD9022	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9024	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)
IRFD9024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD9024PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFD9025	INFINEON	获取价格	Transistor,
IRFD9110	INTERSIL	获取价格	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)
IRFD9110	FAIRCHILD	获取价格	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9110	HARRIS	获取价格	-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

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