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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 0.78 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.58 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9220PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFD9223 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFDC10LC | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFDC20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
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| IRFDC20 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFDC20PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFE024 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFE024 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFE034 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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